logo blog
Blog Elektronika Spot
Pastikan untuk tidak melewatkan artikel yang mungkin anda ingin simak dengan melihat :Daftar Isi
Terima kasih atas kunjungan Anda, semoga bermanfaat.

Jenis-Jenis Transistor

Advertisement

Sebagai pelengkap ulasan sebelumnya, yaitu Mengenal Transistor, berikut ini dikemukakan beberapa jenis transistor disertai penjelasan singkat tentangnya.
Ada beberapa jenis transistor, di antaranya adalah :

parts of transistors

Transistor bi-polar.
Transistor ini adalah yang paling banyak dan paling umum digunakan di dalam berbagai rangkaian elektronik. Terdapat dua jenis transistor bi-polar, yaitu PNP dan NPN.
Tentang transistor bi-polar telah dibahas secara detil dalam tulisan sebelumnya : Mengenal Transistor.

Transistor FET.
FET singkatan dari Field Effect Transistors, dalam bahasa Indonesia diistilahkan dengan “Transistor efek medan”, yaitu transistor khusus yang dibuat dengan memanfaatkan efek-efek kejadian di dalam suatu medan listrik dan mempunyai (setidaknya) tiga elektroda sambungan : gate (G), drain (D) dan source (S).
Ada dua macam transistor FET, yaitu FET type-P (kanal P) dan FET type-N (kanal N).
Transistor FET dibuat dengan bahan silikon dari dua jenis, yaitu jenis P (positif) dan jenis N (negatif) yang disusun/dipertemukan dengan pola tertentu sedemikian rupa, sehingga transistor ini juga disebut dengan Junction FET.
Di dalam pengoperasiannya, pada transistor FET type-P D (drain) diberi tegangan positif terhadap source (S), namun gate diberi tegangan terbalik terhadap source.  Misalnya apabila tegangan S (terhadap ground) 1V maka G bertegangan -3V terhadap S.
Pada transistor FET type-N D diberi tegangan negatir terhadap S dan G diberi tegangan terbalik terhadap S. Misalnya apabila S bertegangan -1V terhadap ground, maka G bertegangan 3V terhadap S.
Tegangan antara drain dan source disebut VDS dan tegangan antara G dan S disebut VGS.
Contoh-contoh transistor FET (junction FET) : 2SK152, 2SJ50, 2N5457, 2N3819, BF256, MPF105, E300, U1994 dan lain-lain.
Pada kelanjutannya transistor FET berkembang lagi menjadi banyak jenis, di antaranya : IGFET (Insulated Gate FET), MESFET (Metal Semiconcuctor FET), MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor FET), DMOSFET (Depletion MOSFET), EMOSFET (Enhancement MOSFET), dan TFET (Thin film FET).

Transistor UJT.
UJT singkatan dari Uni Junction Transistors.
UJT mempunyai tiga elektroda, yaitu basis 1 (b1), basis 2 (b2) dan emitor (e).
UJT terdiri dari dua jenis, yaitu kanal-N (N-channel) dan kanal-P (P-channel).
UJT bekerja dengan cara yang tersendiri, di mana tegangan yang ada pada b1 dan b2 dapat berubah-ubah sesuai dengan perubahan tegangan pada emitor.
Dalam prakteknya UJT tidak digunakan sebagai penguat (amplifier), tetapi hanya digunakan untuk keperluan-keperluan pembangkitan frekwensi (oscillating), pewaktuan (timing) dan pentriggeran.
Contoh-contoh transistor UJT adalah : 2N1671, 2N2647, 2N4871, TIS43, BRY39 dan lain-lain.

Photo transistor.
Adalah transistor yang bekerja secara optikal di mana basisnya merupakan sebuah sensor peka cahaya.
Photo transistor hanya mempunyai dua elektroda sambungan, yaitu kolektor (C) dan emitor (E), sedangkan basisnya hanya berupa penampang sensor yang terdapat pada badan transistor.
Apabila cahaya masuk ke bagian sensor (basis) maka kolektor-emitor (C-E) transistor akan menghantar. Kuatnya hantaran C-E ini dipengaruhi oleh kuatnya cahaya yang masuk ke bagian sensor.  Pada kuat cahaya yang maksimal hantaran C-E akan maksimal juga hingga menghubung singkat.
Photo transistor digunakan pada rangkaian-rangkaian pendeteksian cahaya atau pengatur penyinaran otomatis seperti yang terdapat pada kamera.
Contoh-contoh photo transistor adalah : 2N5777, LTR4206, L14F1 dan lain-lain

Transistor darlington.
Transistor darlington disebut juga multiple-transistor adalah dua transistor bi-polar sejenis yang disusun sedemikian rupa dalam satu packing.
Sebagaimana layaknya transistor bi-polar biasa, transistor darlington terbagi menjadi dua jenis, yaitu darlington PNP dan darlington NPN.
Transistor darlington dibuat untuk memperoleh penguatan yang tinggi.  Apabila faktor penguatan arus pada transistor biasa hanya sampai bilangan ratusan, pada transistor darlington bisa mencapai bilangan ribuan.
Dengan susunan sedemikian rupa (disebut susunan darlington) maka transistor darlington mempunyai VBE dua kali transistor biasa, yaitu sekitar 1,2V.
Transistor darlington banyak digunakan pada rangkaian-rangkaian amplifier.
Contoh-contoh transistor darlington adalah : BC517, BD466, 2N2223, TIP141, MJ2501 dan lain-lain.

Transistor IGBT .
IGBT adalah singkatan dari Insulated Gate Bi-polar Transistor.
IGBT mempunyai MOS Gate control (kontrol pintu Metal Oxyde Semiconductor) namun dalam mekanisme mengalirnya arus adalah sebagaimana pada transistor bi-polar.  Karena itu pada IGBT terdapat elektroda gate (G) tapi juga terdapat elektroda kolektor (C) dan emitor (E).
IGBT terbagi menjadi dua jenis, yaitu type-P dan type-N.
IGBT umumnya mempunyai kemampuan daya yang besar dan banyak digunakan pada rangkaian-rangkaian pengkonversi daya, seperti misalnya pada perangkat suplai daya untuk peralatan las listrik.
Contoh-contoh transistor IGBT adalah : IRGB420U, 30N60, 40N60, 120N60 dan lain-lain.

Happy learning!


Tulisan lain tentang transistor : Transistor TUP dan TUN .

Enter your email address to get update from Admin .
Print PDF
Next
« Prev Post
Previous
Next Post »

1 komentar:

Silakan komentar dengan IDENTITAS YANG JELAS dan tidak menyertakan live-link atau spam.

Copyright © 2013. Elektronika Spot - All Rights Reserved | Template Created by Kompi Ajaib Proudly powered by Blogger